一種片外電容交叉充放電型振蕩電路設計 | |
所屬分類:技術論文 | |
上傳者:zhoubin333 | |
文檔大小:3831 K | |
標簽: 環形振蕩 電容充放電 電源控制芯片 | |
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文檔介紹:CMOS環形振蕩器具有版圖面積小、調諧范圍大、電路簡單便于集成等優點,廣泛應用于各類電源系統及電子通信應用中。在常規的環形振蕩電路基礎上,設計了獨立的充放電控制通路,實現了一種交叉充放電型環形振蕩電路,并通過外接片外電容的方式,得到更低頻率的振蕩周期。基于0.18 μm工藝,采用HSIM工具對電路進行功能仿真,經過后端物理實現后,版圖面積為172 μm×76 μm,對電路進行提參后仿,結果表明:在3.3 V電壓及25 ℃條件下,外接10 nF接地電容時,電路獲得約1.2 ms的穩定振蕩周期。在Vcc=2.7 V~5.5 V、T=-55 ℃~125 ℃條件下,時鐘周期的最大偏移為5.83%。該電路已成功應用于某電源控制芯片中。 | |
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