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消息稱美光將加入16-Hi HBM3E戰(zhàn)場
發(fā)表于：2025/1/16 11:26:14
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三星電子HBM3E內存性能未滿足英偉達要求
發(fā)表于：2024/12/12 11:44:11
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SK海力士正式發(fā)布全球首款48GB 16Hi HBM3E
發(fā)表于：2024/11/6 10:58:25
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SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
發(fā)表于：2024/11/4 13:16:16
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三星高管暗示其HBM芯片已獲英偉達質量測試重大進展
發(fā)表于：2024/11/1 9:30:37
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SK海力士將集成3D檢測單元以提升12層HBM3E的良率和產量
發(fā)表于：2024/11/1 8:33:31
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NVIDIA B200 Ultra系列將改名為B300
發(fā)表于：2024/10/23 10:39:15
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三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通過英偉達認證
發(fā)表于：2024/10/18 10:19:43
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消息稱三星電子因向英偉達供應延遲調減HBM內存產能規(guī)劃
發(fā)表于：2024/10/11 10:10:51
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SK海力士宣布大規(guī)模量產12層HBM3E芯片
發(fā)表于：2024/9/26 11:29:39
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SK海力士調整生產線以便于專注先進HBM內存量產
發(fā)表于：2024/9/13 9:50:00
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美光宣布單顆36GB HBM3E內存
發(fā)表于：2024/9/11 9:50:35
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美光確認啟動生產可用版12層堆疊HBM3E 36GB內存交付
發(fā)表于：2024/9/6 10:55:59
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SK海力士宣布9月底量產12層HBM3E
發(fā)表于：2024/9/5 11:25:20
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三星電子HBM3E內存已獲英偉達驗證
發(fā)表于：2024/9/4 9:33:36
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消息稱三星8層HBM3E存儲芯片已通過英偉達測試
發(fā)表于：2024/8/7 8:50:00
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三星芯片主管警告：不改革將陷入“惡性循環(huán)”
發(fā)表于：2024/8/2 8:16:00
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三星計劃2024Q3量產8層HBM3E產品
發(fā)表于：2024/8/1 13:16:16
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三星成立新的HBM團隊推進HBM3E和HBM4開發(fā)工作
發(fā)表于：2024/7/8 8:37:00
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消息稱英偉達H200芯片2024Q3大量交付
發(fā)表于：2024/7/4 8:27:00
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NVIDIA13億美元大單預定HBM3E內存
發(fā)表于：2024/6/21 8:30:18
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SK海力士展示HBM3E等AI內存解決方案
發(fā)表于：2024/6/20 8:35:45
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SK 海力士將提升1b nm DRAM 產能以滿足HBM3E內存需求
發(fā)表于：2024/6/17 8:35:28
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黃仁勛確認三星HBM3e未通過英偉達認證
發(fā)表于：2024/6/5 8:57:20
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消息稱三星電子8層堆疊HBM3E內存尚未正式通過英偉達驗證
發(fā)表于：2024/5/14 8:39:21
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SK海力士：12層堆疊HBM3E開發(fā)三季度完成
發(fā)表于：2024/4/26 8:59:13
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消息稱三星和AMD簽署價值4萬億韓元的HBM3E 12H供貨協(xié)議
發(fā)表于：2024/4/24 12:25:28
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消息稱三星將向英偉達獨家供應12層HBM3E
發(fā)表于：2024/3/25 8:59:00
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SK海力士開始量產HBM3E內存，本月下旬起向英偉達供貨
發(fā)表于：2024/3/19 9:05:35
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三星開發(fā)業(yè)界首款36GB HBM3E存儲芯片
發(fā)表于：2024/2/28 9:30:20
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