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東芝和日本半導體提出新方法 可優化LDMOS中的HBM容差并抑制導通電阻
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埃賦隆宣布面向ISM應用推出業界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶體管
發表于：2019/5/12 21:11:01
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發表于：2019/5/11 19:25:51
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AI芯天下 | 技術：硅基氮化鎵，5G時代的倚天劍
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5G發展將帶動RF功率元件需求成長
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GAN將逐漸取代LDMOS
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高速1553總線分立器件收發器設計
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當硅基代替碳化硅 氮化鎵變得無可挑剔
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MACOM推出用于無線基站的全新高性能氮化鎵功率晶體管系列
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MACOM宣稱將打破氮化鎵大規模商用壁壘
發表于：2015/11/5 13:45:00
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科銳與RFHIC 公司達成關鍵Doherty放大器專利許可協議
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電平位移電路應用于負電源的設計
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IR堅固可靠的高壓柵級驅動IC采用PQFN4x4封裝減少高達85% 占位面積
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采用BCDMOS技術的電流模降壓型DC-DC轉換器功率級設計
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恩智浦正式啟動高性能射頻設計大賽
發表于：2011/1/26 19:02:53
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寬帶功率放大器的設計
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宏力半導體發布中國首個0.18微米電壓可調CDMOS制程及其對應的先進設計工具包
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飛思卡爾新RF功率產品降低了面向多載波無線基站的放大器復雜性和運營成本
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恩智浦發布120W DVB-T輸出功率LDMOS超高頻晶體管
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