NAND 相關(guān)文章(353篇)
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消息稱閃迪已向下游發(fā)出其存儲(chǔ)產(chǎn)品漲價(jià)函
發(fā)表于：2025/3/11 10:25:05
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三星計(jì)劃到2030年實(shí)現(xiàn)1000層NAND
發(fā)表于：2025/2/27 9:56:53
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SK海力士將完成收購英特爾NAND業(yè)務(wù)
發(fā)表于：2025/2/27 9:25:23
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消息稱三星V10 NAND將使用長江存儲(chǔ)的混合鍵合專利
發(fā)表于：2025/2/25 10:13:00
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消息稱三星和SK海力士減產(chǎn)NAND應(yīng)對(duì)供應(yīng)過剩問題
發(fā)表于：2025/2/12 11:03:20
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DDR4內(nèi)存價(jià)格持續(xù)下跌 NAND閃存減產(chǎn)效果未顯現(xiàn)
發(fā)表于：2025/2/6 10:31:50
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四大存儲(chǔ)廠商計(jì)劃今年減產(chǎn)以穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格
發(fā)表于：2025/1/24 11:50:40
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消息稱三星將從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM
發(fā)表于：2025/1/22 10:03:58
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傳三星西安NAND Flash工廠減產(chǎn)超10%
發(fā)表于：2025/1/13 11:29:05
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存儲(chǔ)巨頭鎧俠正式掛牌上市
發(fā)表于：2024/12/19 10:33:13
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三星完成400層NAND Flash開發(fā)
發(fā)表于：2024/12/10 11:15:18
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長江存儲(chǔ)發(fā)聲明回應(yīng)借殼萬潤科技上市傳聞
發(fā)表于：2024/12/9 9:58:30
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SK海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門
發(fā)表于：2024/12/6 9:39:33
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三星將推出400+層第10代V-NAND
發(fā)表于：2024/12/5 9:20:26
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NAND閃存產(chǎn)業(yè)2024Q3整體營收176億美元
發(fā)表于：2024/11/28 11:12:22
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消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出
發(fā)表于：2024/10/30 11:22:15
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Solidigm宣布2025年Q1結(jié)束前不再制造/出貨貼有英特爾標(biāo)簽產(chǎn)品
發(fā)表于：2024/10/22 9:50:11
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消息稱NAND閃存芯片制造商鎧俠取消10月IPO計(jì)劃
發(fā)表于：2024/9/25 9:15:02
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中國存儲(chǔ)模組制造商涌現(xiàn)大批拋貨潮
發(fā)表于：2024/9/25 8:59:07
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2024Q2企業(yè)級(jí)SSD合約價(jià)環(huán)比增長超25%
發(fā)表于：2024/9/14 8:59:00
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消息指SK海力士400+層閃存明年末量產(chǎn)就緒
發(fā)表于：2024/8/1 9:13:00
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DRAM和NAND現(xiàn)貨價(jià)格下跌 短期內(nèi)難以回升
發(fā)表于：2024/6/21 8:30:26
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消息稱鎧俠結(jié)束NAND閃存減產(chǎn)
發(fā)表于：2024/6/17 8:35:35
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SK海力士宣布開發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0
發(fā)表于：2024/5/9 8:28:41
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消息稱三星電子NAND產(chǎn)量大增 開工率重回90%高位
發(fā)表于：2024/4/22 8:50:22
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消息稱三星電子本季度NAND閃存產(chǎn)能環(huán)比提升30%
發(fā)表于：2024/4/16 8:50:13
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TrendForce：預(yù)估二季度NAND閃存合約價(jià)繼續(xù)上漲13～18%
發(fā)表于：2024/3/29 9:08:03
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美光投資43億元擴(kuò)建西安封裝和測(cè)試工廠
發(fā)表于：2024/3/28 9:15:05
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三星正研發(fā) CMM-H 混合存儲(chǔ)模組
發(fā)表于：2024/3/21 9:00:05
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鎧俠及西部數(shù)據(jù)產(chǎn)能利用率將恢復(fù)至88%
發(fā)表于：2024/3/20 9:00:00
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