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憶阻器的概念
發(fā)表于：2025/2/6 15:36:37
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億鑄科技榮登23年中國(guó)AI算力領(lǐng)域最具商業(yè)潛力榜
發(fā)表于：2023/12/4 16:31:00
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臺(tái)積電正在研究的新型存儲(chǔ)技術(shù)
發(fā)表于：2023/1/11 10:02:46
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技術(shù)文章—采用28nm FD-SOI汽車(chē)級(jí)微控制器嵌入式PCM宏單元
發(fā)表于：2019/6/20 10:01:17
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Intel打造22FFL工藝 生產(chǎn)超強(qiáng)壽命RRAM芯片
發(fā)表于：2019/6/18 8:29:33
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麻省理工造第一個(gè)碳納米管混合信號(hào)集成電路
發(fā)表于：2019/3/5 14:02:46
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兆易創(chuàng)新與Rambus合資成立RRAM公司睿科微
發(fā)表于：2018/5/10 15:26:14
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兆易創(chuàng)新聯(lián)手Rambus成立合資公司，推動(dòng)RRAM技術(shù)的商業(yè)化
發(fā)表于：2018/5/8 20:34:03
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看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM
發(fā)表于：2017/9/22 6:00:00
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臺(tái)積電重返內(nèi)存市場(chǎng) 瞄準(zhǔn)MRAM和RRAM
發(fā)表于：2017/6/5 16:35:00
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中資征戰(zhàn)集成電路市場(chǎng)：于并購(gòu)潮中披荊前行
發(fā)表于：2017/4/19 5:00:00
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簡(jiǎn)述RRAM工作原理，工程師怎樣讓其秒變3D芯片？
發(fā)表于：2016/12/21 8:00:00
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存儲(chǔ)技術(shù)掀起風(fēng)暴 RRAM技術(shù)欲替代DRAM和NAND
發(fā)表于：2016/5/10 22:44:00
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RRAM領(lǐng)軍者Crossbar結(jié)緣中國(guó) 2017年將量產(chǎn)
發(fā)表于：2016/4/6 14:14:00
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中芯國(guó)際進(jìn)軍PRAM存儲(chǔ) 蠶食三星40nm產(chǎn)能
發(fā)表于：2016/3/18 7:00:00
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中芯國(guó)際與RRAM領(lǐng)軍企業(yè)Crossbar達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議
發(fā)表于：2016/3/14 20:15:00
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固態(tài)硬盤(pán)的革新始點(diǎn)！RRAM將取代3D NAND
發(fā)表于：2015/5/13 10:23:00
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